日本东丽 TORAY Semicofine 第三代碳化硅功率器件绝缘保护材料解析
阅读： 发布时间：2026-10-19
半导体*封装、功率 IGBT、MEMS 微机电系统快速发展，行业对耐高温、低应力、高绝缘高分子薄膜需求持续上涨。Semicofine®是日本 TORAY 东丽面向半导体领域开发的高性能聚酰亚胺材料，也是功率半导体领域市场占有率高的 PI 产品系列。东丽作为百年综合材料巨头，从单体合成、聚合、成膜全产业链，Semicofine® 分为非感光型与感光型两大类，覆盖薄膜、厚膜多种规格。
Semicofine® 核心性能亮点：短期耐温可达 500℃以上，高温环境力学强度保持稳定；低热膨胀系数（低 CTE），和硅晶圆热膨胀匹配度高，减少高温固化、回流焊过程中晶圆翘曲问题；较好电气绝缘性能，宽温域内介电常数稳定；耐各类光刻配套化学品、酸碱蚀刻液，化学稳定性强；固化后残余应力低，适合高密度微细图案加工。
在半导体制造工艺中，Semicofine® 主要用于晶圆表面缓冲保护层、晶圆级封装再布线层 RDL、芯片层间绝缘膜、MEMS 中空结构成型材料。在车载功率 IGBT、碳化硅第三代半导体器件中，Semicofine® 长期承受高低温循环冲击，保障器件长期可靠性；同时在柔性线路板、传感器元件、光学器件绝缘层也大量应用。
东丽 Semicofine® 感光版本可直接曝光显影，配合光刻工艺微细图形加工，大幅简化封装工艺流程，减少额外光刻胶配套工序；非感光版本多用于薄层绝缘、缓冲保护。除 Semicofine®PI 材料外，东丽半导体材料矩阵还包含半导体纯水过滤膜、光学 PET 薄膜、碳纤维等，覆盖芯片制造到终端器件多条产业链。
选型提示
1. 选型*步区分感光型 / 非感光型 Semicofine®，感光款适合需要图形化刻蚀的封装工艺；厚膜版本用于中空结构支撑，薄膜版本用于薄层绝缘保护。
2. 材料固化温度较高，产线工艺曲线需要提前评估，避免基材受热变形。
3. 不同厚度规格，CTE、应力指标存在差异，必须根据晶圆尺寸、封装结构匹配对应规格。
4. 存储环境避光控温，避免提前发生化学变化影响加工良率。
